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新闻资讯
展会回顾PCIM Asia 2023 | 高能效IGBT器件、高压大功率模块、高功率SiC器件
2023.09.04

2023年8月29-31日,上海国际电力元件、可再生能源管理展览会PCIM Asia 2023在上海新国际博览中心举行。全球各地的电力电子及驱动技术厂商齐聚,探索行业最新趋势和创新发展。

永利澳门6774.cσm携高能效IGBT器件、高压大功率模块、高功率SiC器件等适用于光伏储能、新能源汽车多领域产品参加了本次盛会。



1. 高压大功率模块 || 适用于光伏储能等

士兰光伏储能模块产品,涵盖了工商业、组串电站、储能、集中式电站等领域,尤其在逆变器产品方面表现优异。传导损耗和开关损耗更低,更容易实现高频开关;带铜底板,有更好的散热能力。

使用场合:组串电站MPPT升压,面板单路电流60A。

电气特性:采用士兰5代中频950V IGBT,开关损耗小。

封装特性:采用士兰D3封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。 





2. 高压大功率模块 || 适用于新能源汽车等 

士兰车规级模块用于混动和纯电汽车领域,功率范围覆盖30-200kW,具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级,在严苛环境条件下具有更高的可靠性。

使用场合:混动和纯电动汽车主驱。

电气特性:采用士兰高密度沟槽工艺IGBT芯片和自研FRD的六单元拓扑模块。

封装特性:采用士兰B3封装,采用绝缘DBC,pinfin铜基板散热。


3. 高功率SiC器件 || 适用于光伏、汽车等

永利澳门6774.cσm针对光伏、汽车等应用的高功率SiC产品系列具有更高的参数一致性,更低的失效不良率,从而满足高端客户需求。


SCDP120R013N2P48

SCDP120R013N2P48采用TO247-4L封装的1200V、13.5mΩ的SiC MOSFET基于士兰第二代平面工艺,提供了业界最低的开关损耗和最高的品质因素。适用于电动汽车的快速充电器和高压DC/DC转换器等场景。

SGTP140V120FDB7PW4

采用TO247P-4L封装的1200V、140A的IGBT基于士兰FS5+系列工艺,高功率密度的工艺使其额定电流达到140A,具有低导通损耗和开关损耗的特点。主要满足绿色低碳场景,如太阳能光伏,不间断电源等。


4. 高能效IGBT器件 || 适用于白电、小家电等

永利澳门6774.cσm致力于利用成熟的专业应用技术以及半导体产品系列,克服在最先进的系统中遇到的挑战,使洗衣机、冰箱和空调等高能耗设备成为过去。

SGTP50V60FD2PU

采用TO247-3L封装的600V、50A的IGBT基于士兰FS5+系列工艺,在开关和导通损耗之间实现完美平衡,显著改善了器件的动态与静态性能,同时具有优秀的抗电磁干扰能力。在家电领域广泛应用。


永利澳门6774.cσm利用自身在高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、绿色电源芯片技术等多个芯片设计领域的积累,以及不断强化的工艺平台开发能力,不断提升的8吋/12吋硅圆片生产能力、先进化合物半导体生产能力,为光伏、新能源客户提供优质的芯片产品系列和系统性的应用解决方案,助力产业的蓬勃发展。